IPB097N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
Artikelnummer
IPB097N08N3 G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.7 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6117 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB097N08N3 G
IPB097N08N3 G Elektroniska komponenter
IPB097N08N3 G Försäljning
IPB097N08N3 G Leverantör
IPB097N08N3 G Distributör
IPB097N08N3 G Datatabell
IPB097N08N3 G Foton
IPB097N08N3 G Pris
IPB097N08N3 G Erbjudande
IPB097N08N3 G Lägsta pris
IPB097N08N3 G Sök
IPB097N08N3 G Köp av
IPB097N08N3 G Chip