IPB009N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Artikelnummer
IPB009N03LGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-7-3
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
0.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
227nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
25000pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17602 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB009N03LGATMA1
IPB009N03LGATMA1 Elektroniska komponenter
IPB009N03LGATMA1 Försäljning
IPB009N03LGATMA1 Leverantör
IPB009N03LGATMA1 Distributör
IPB009N03LGATMA1 Datatabell
IPB009N03LGATMA1 Foton
IPB009N03LGATMA1 Pris
IPB009N03LGATMA1 Erbjudande
IPB009N03LGATMA1 Lägsta pris
IPB009N03LGATMA1 Sök
IPB009N03LGATMA1 Köp av
IPB009N03LGATMA1 Chip