IPB011N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Artikelnummer
IPB011N04LGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-7-3
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 200µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
346nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
29000pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32116 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB011N04LGATMA1
IPB011N04LGATMA1 Elektroniska komponenter
IPB011N04LGATMA1 Försäljning
IPB011N04LGATMA1 Leverantör
IPB011N04LGATMA1 Distributör
IPB011N04LGATMA1 Datatabell
IPB011N04LGATMA1 Foton
IPB011N04LGATMA1 Pris
IPB011N04LGATMA1 Erbjudande
IPB011N04LGATMA1 Lägsta pris
IPB011N04LGATMA1 Sök
IPB011N04LGATMA1 Köp av
IPB011N04LGATMA1 Chip