IPB093N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
Artikelnummer
IPB093N04LGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
47W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 16µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51272 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB093N04LGATMA1
IPB093N04LGATMA1 Elektroniska komponenter
IPB093N04LGATMA1 Försäljning
IPB093N04LGATMA1 Leverantör
IPB093N04LGATMA1 Distributör
IPB093N04LGATMA1 Datatabell
IPB093N04LGATMA1 Foton
IPB093N04LGATMA1 Pris
IPB093N04LGATMA1 Erbjudande
IPB093N04LGATMA1 Lägsta pris
IPB093N04LGATMA1 Sök
IPB093N04LGATMA1 Köp av
IPB093N04LGATMA1 Chip