IPB072N15N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Artikelnummer
IPB072N15N3GE8187ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
93nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5470pF @ 75V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44617 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB072N15N3GE8187ATMA1
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Försäljning
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Leverantör
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Distributör
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Datatabell
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Foton
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Pris
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Erbjudande
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Lägsta pris
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Sök
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Köp av
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Chip