IPB06CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Artikelnummer
IPB06CN10N G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
214W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 180µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
139nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9200pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20957 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB06CN10N G
IPB06CN10N G Elektroniska komponenter
IPB06CN10N G Försäljning
IPB06CN10N G Leverantör
IPB06CN10N G Distributör
IPB06CN10N G Datatabell
IPB06CN10N G Foton
IPB06CN10N G Pris
IPB06CN10N G Erbjudande
IPB06CN10N G Lägsta pris
IPB06CN10N G Sök
IPB06CN10N G Köp av
IPB06CN10N G Chip