Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPB065N15N3GE8187ATMA1

IPB065N15N3GE8187ATMA1

MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Artikelnummer
IPB065N15N3GE8187ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-7
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
93nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7300pF @ 75V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36230 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPB065N15N3GE8187ATMA1
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Försäljning
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Leverantör
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Distributör
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Datatabell
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Foton
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Pris
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Erbjudande
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Lägsta pris
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Sök
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Köp av
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Chip