IPB049N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Artikelnummer
IPB049N06L3GATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
115W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 58µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8400pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5722 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB049N06L3GATMA1
IPB049N06L3GATMA1 Elektroniska komponenter
IPB049N06L3GATMA1 Försäljning
IPB049N06L3GATMA1 Leverantör
IPB049N06L3GATMA1 Distributör
IPB049N06L3GATMA1 Datatabell
IPB049N06L3GATMA1 Foton
IPB049N06L3GATMA1 Pris
IPB049N06L3GATMA1 Erbjudande
IPB049N06L3GATMA1 Lägsta pris
IPB049N06L3GATMA1 Sök
IPB049N06L3GATMA1 Köp av
IPB049N06L3GATMA1 Chip