IPB041N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Artikelnummer
IPB041N04NGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
94W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.1 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 45µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38159 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB041N04NGATMA1
IPB041N04NGATMA1 Elektroniska komponenter
IPB041N04NGATMA1 Försäljning
IPB041N04NGATMA1 Leverantör
IPB041N04NGATMA1 Distributör
IPB041N04NGATMA1 Datatabell
IPB041N04NGATMA1 Foton
IPB041N04NGATMA1 Pris
IPB041N04NGATMA1 Erbjudande
IPB041N04NGATMA1 Lägsta pris
IPB041N04NGATMA1 Sök
IPB041N04NGATMA1 Köp av
IPB041N04NGATMA1 Chip