IPB020N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3
Artikelnummer
IPB020N08N5ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 208µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
166nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12100pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11218 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB020N08N5ATMA1
IPB020N08N5ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB020N08N5ATMA1 Försäljning
IPB020N08N5ATMA1 Leverantör
IPB020N08N5ATMA1 Distributör
IPB020N08N5ATMA1 Datatabell
IPB020N08N5ATMA1 Foton
IPB020N08N5ATMA1 Pris
IPB020N08N5ATMA1 Erbjudande
IPB020N08N5ATMA1 Lägsta pris
IPB020N08N5ATMA1 Sök
IPB020N08N5ATMA1 Köp av
IPB020N08N5ATMA1 Chip