IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V D2PAK-7
Artikelnummer
IPB017N10N5LFATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™-5
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-7
Effektförlust (max)
313W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 270µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
840pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31723 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB017N10N5LFATMA1
IPB017N10N5LFATMA1 Elektroniska komponenter
IPB017N10N5LFATMA1 Försäljning
IPB017N10N5LFATMA1 Leverantör
IPB017N10N5LFATMA1 Distributör
IPB017N10N5LFATMA1 Datatabell
IPB017N10N5LFATMA1 Foton
IPB017N10N5LFATMA1 Pris
IPB017N10N5LFATMA1 Erbjudande
IPB017N10N5LFATMA1 Lägsta pris
IPB017N10N5LFATMA1 Sök
IPB017N10N5LFATMA1 Köp av
IPB017N10N5LFATMA1 Chip