BSZ018NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
Artikelnummer
BSZ018NE2LSATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TSDSON-8-FL
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 12V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52058 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSZ018NE2LSATMA1
BSZ018NE2LSATMA1 Elektroniska komponenter
BSZ018NE2LSATMA1 Försäljning
BSZ018NE2LSATMA1 Leverantör
BSZ018NE2LSATMA1 Distributör
BSZ018NE2LSATMA1 Datatabell
BSZ018NE2LSATMA1 Foton
BSZ018NE2LSATMA1 Pris
BSZ018NE2LSATMA1 Erbjudande
BSZ018NE2LSATMA1 Lägsta pris
BSZ018NE2LSATMA1 Sök
BSZ018NE2LSATMA1 Köp av
BSZ018NE2LSATMA1 Chip