Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
BSZ013NE2LS5IATMA1

BSZ013NE2LS5IATMA1

MOSFET N-CH 25V 32A 8SON
Artikelnummer
BSZ013NE2LS5IATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TSDSON-8-FL
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3400pF @ 12V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24682 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av BSZ013NE2LS5IATMA1
BSZ013NE2LS5IATMA1 Elektroniska komponenter
BSZ013NE2LS5IATMA1 Försäljning
BSZ013NE2LS5IATMA1 Leverantör
BSZ013NE2LS5IATMA1 Distributör
BSZ013NE2LS5IATMA1 Datatabell
BSZ013NE2LS5IATMA1 Foton
BSZ013NE2LS5IATMA1 Pris
BSZ013NE2LS5IATMA1 Erbjudande
BSZ013NE2LS5IATMA1 Lägsta pris
BSZ013NE2LS5IATMA1 Sök
BSZ013NE2LS5IATMA1 Köp av
BSZ013NE2LS5IATMA1 Chip