BSS119E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Artikelnummer
BSS119E6327
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
PG-SOT23-3
Effektförlust (max)
360mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
78pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43925 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSS119E6327
BSS119E6327 Elektroniska komponenter
BSS119E6327 Försäljning
BSS119E6327 Leverantör
BSS119E6327 Distributör
BSS119E6327 Datatabell
BSS119E6327 Foton
BSS119E6327 Pris
BSS119E6327 Erbjudande
BSS119E6327 Lägsta pris
BSS119E6327 Sök
BSS119E6327 Köp av
BSS119E6327 Chip