BSS119 E7796
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Artikelnummer
BSS119 E7796
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
PG-SOT23-3
Effektförlust (max)
360mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
78pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17592 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSS119 E7796
BSS119 E7796 Elektroniska komponenter
BSS119 E7796 Försäljning
BSS119 E7796 Leverantör
BSS119 E7796 Distributör
BSS119 E7796 Datatabell
BSS119 E7796 Foton
BSS119 E7796 Pris
BSS119 E7796 Erbjudande
BSS119 E7796 Lägsta pris
BSS119 E7796 Sök
BSS119 E7796 Köp av
BSS119 E7796 Chip