GP2M023A050N
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
Artikelnummer
GP2M023A050N
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3PN
Effektförlust (max)
347W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3270pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48757 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP2M023A050N
GP2M023A050N Elektroniska komponenter
GP2M023A050N Försäljning
GP2M023A050N Leverantör
GP2M023A050N Distributör
GP2M023A050N Datatabell
GP2M023A050N Foton
GP2M023A050N Pris
GP2M023A050N Erbjudande
GP2M023A050N Lägsta pris
GP2M023A050N Sök
GP2M023A050N Köp av
GP2M023A050N Chip