GP2M002A065FG
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
Artikelnummer
GP2M002A065FG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Effektförlust (max)
17.3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
353pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26727 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP2M002A065FG
GP2M002A065FG Elektroniska komponenter
GP2M002A065FG Försäljning
GP2M002A065FG Leverantör
GP2M002A065FG Distributör
GP2M002A065FG Datatabell
GP2M002A065FG Foton
GP2M002A065FG Pris
GP2M002A065FG Erbjudande
GP2M002A065FG Lägsta pris
GP2M002A065FG Sök
GP2M002A065FG Köp av
GP2M002A065FG Chip