GP2M002A065CG
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
Artikelnummer
GP2M002A065CG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
52W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
353pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49311 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP2M002A065CG
GP2M002A065CG Elektroniska komponenter
GP2M002A065CG Försäljning
GP2M002A065CG Leverantör
GP2M002A065CG Distributör
GP2M002A065CG Datatabell
GP2M002A065CG Foton
GP2M002A065CG Pris
GP2M002A065CG Erbjudande
GP2M002A065CG Lägsta pris
GP2M002A065CG Sök
GP2M002A065CG Köp av
GP2M002A065CG Chip