GP2M020A050F
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Artikelnummer
GP2M020A050F
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Effektförlust (max)
48W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2880pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8401 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP2M020A050F
GP2M020A050F Elektroniska komponenter
GP2M020A050F Försäljning
GP2M020A050F Leverantör
GP2M020A050F Distributör
GP2M020A050F Datatabell
GP2M020A050F Foton
GP2M020A050F Pris
GP2M020A050F Erbjudande
GP2M020A050F Lägsta pris
GP2M020A050F Sök
GP2M020A050F Köp av
GP2M020A050F Chip