GP2M010A060F
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Artikelnummer
GP2M010A060F
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Effektförlust (max)
52W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
700 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1660pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7816 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP2M010A060F
GP2M010A060F Elektroniska komponenter
GP2M010A060F Försäljning
GP2M010A060F Leverantör
GP2M010A060F Distributör
GP2M010A060F Datatabell
GP2M010A060F Foton
GP2M010A060F Pris
GP2M010A060F Erbjudande
GP2M010A060F Lägsta pris
GP2M010A060F Sök
GP2M010A060F Köp av
GP2M010A060F Chip