GP2M009A090FG
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
Artikelnummer
GP2M009A090FG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Effektförlust (max)
89W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2740pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20009 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP2M009A090FG
GP2M009A090FG Elektroniska komponenter
GP2M009A090FG Försäljning
GP2M009A090FG Leverantör
GP2M009A090FG Distributör
GP2M009A090FG Datatabell
GP2M009A090FG Foton
GP2M009A090FG Pris
GP2M009A090FG Erbjudande
GP2M009A090FG Lägsta pris
GP2M009A090FG Sök
GP2M009A090FG Köp av
GP2M009A090FG Chip