GP2M004A065HG
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Artikelnummer
GP2M004A065HG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
98.4W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
642pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33820 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP2M004A065HG
GP2M004A065HG Elektroniska komponenter
GP2M004A065HG Försäljning
GP2M004A065HG Leverantör
GP2M004A065HG Distributör
GP2M004A065HG Datatabell
GP2M004A065HG Foton
GP2M004A065HG Pris
GP2M004A065HG Erbjudande
GP2M004A065HG Lägsta pris
GP2M004A065HG Sök
GP2M004A065HG Köp av
GP2M004A065HG Chip