Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
GP2M004A065FG

GP2M004A065FG

MOSFET N-CH 650V 4A TO220F
Artikelnummer
GP2M004A065FG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Effektförlust (max)
32.8W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
642pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40549 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av GP2M004A065FG
GP2M004A065FG Elektroniska komponenter
GP2M004A065FG Försäljning
GP2M004A065FG Leverantör
GP2M004A065FG Distributör
GP2M004A065FG Datatabell
GP2M004A065FG Foton
GP2M004A065FG Pris
GP2M004A065FG Erbjudande
GP2M004A065FG Lägsta pris
GP2M004A065FG Sök
GP2M004A065FG Köp av
GP2M004A065FG Chip