Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC8009

EPC8009

TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC8009
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
65V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.45nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
52pF @ 32.5V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42450 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC8009
EPC8009 Elektroniska komponenter
EPC8009 Försäljning
EPC8009 Leverantör
EPC8009 Distributör
EPC8009 Datatabell
EPC8009 Foton
EPC8009 Pris
EPC8009 Erbjudande
EPC8009 Lägsta pris
EPC8009 Sök
EPC8009 Köp av
EPC8009 Chip