Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC8002

EPC8002

TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC8002
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
65V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
530 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
21pF @ 32.5V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34020 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC8002
EPC8002 Elektroniska komponenter
EPC8002 Försäljning
EPC8002 Leverantör
EPC8002 Distributör
EPC8002 Datatabell
EPC8002 Foton
EPC8002 Pris
EPC8002 Erbjudande
EPC8002 Lägsta pris
EPC8002 Sök
EPC8002 Köp av
EPC8002 Chip