DMNH10H028SK3-13
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Artikelnummer
DMNH10H028SK3-13
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
2W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2245pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27852 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av DMNH10H028SK3-13
DMNH10H028SK3-13 Elektroniska komponenter
DMNH10H028SK3-13 Försäljning
DMNH10H028SK3-13 Leverantör
DMNH10H028SK3-13 Distributör
DMNH10H028SK3-13 Datatabell
DMNH10H028SK3-13 Foton
DMNH10H028SK3-13 Pris
DMNH10H028SK3-13 Erbjudande
DMNH10H028SK3-13 Lägsta pris
DMNH10H028SK3-13 Sök
DMNH10H028SK3-13 Köp av
DMNH10H028SK3-13 Chip