DMNH10H028SCT
MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
Artikelnummer
DMNH10H028SCT
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
2.8W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31.9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1942pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41211 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av DMNH10H028SCT
DMNH10H028SCT Elektroniska komponenter
DMNH10H028SCT Försäljning
DMNH10H028SCT Leverantör
DMNH10H028SCT Distributör
DMNH10H028SCT Datatabell
DMNH10H028SCT Foton
DMNH10H028SCT Pris
DMNH10H028SCT Erbjudande
DMNH10H028SCT Lägsta pris
DMNH10H028SCT Sök
DMNH10H028SCT Köp av
DMNH10H028SCT Chip