E3M0280090D
E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC
Artikelnummer
E3M0280090D
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, E
Sektionsstatus
Active
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
54W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 600V
Vgs (max)
+18V, -8V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42299 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av E3M0280090D
E3M0280090D Elektroniska komponenter
E3M0280090D Försäljning
E3M0280090D Leverantör
E3M0280090D Distributör
E3M0280090D Datatabell
E3M0280090D Foton
E3M0280090D Pris
E3M0280090D Erbjudande
E3M0280090D Lägsta pris
E3M0280090D Sök
E3M0280090D Köp av
E3M0280090D Chip