E3M0065090D
E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M
Artikelnummer
E3M0065090D
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, E
Sektionsstatus
Active
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
84.5 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30.4nC @ 15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 600V
Vgs (max)
+18V, -8V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49978 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av E3M0065090D
E3M0065090D Elektroniska komponenter
E3M0065090D Försäljning
E3M0065090D Leverantör
E3M0065090D Distributör
E3M0065090D Datatabell
E3M0065090D Foton
E3M0065090D Pris
E3M0065090D Erbjudande
E3M0065090D Lägsta pris
E3M0065090D Sök
E3M0065090D Köp av
E3M0065090D Chip