AOW11S60
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Artikelnummer
AOW11S60
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
178W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
399 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
545pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44271 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOW11S60
AOW11S60 Elektroniska komponenter
AOW11S60 Försäljning
AOW11S60 Leverantör
AOW11S60 Distributör
AOW11S60 Datatabell
AOW11S60 Foton
AOW11S60 Pris
AOW11S60 Erbjudande
AOW11S60 Lägsta pris
AOW11S60 Sök
AOW11S60 Köp av
AOW11S60 Chip