AOW11N60
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Artikelnummer
AOW11N60
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
272W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
700 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1990pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8367 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOW11N60
AOW11N60 Elektroniska komponenter
AOW11N60 Försäljning
AOW11N60 Leverantör
AOW11N60 Distributör
AOW11N60 Datatabell
AOW11N60 Foton
AOW11N60 Pris
AOW11N60 Erbjudande
AOW11N60 Lägsta pris
AOW11N60 Sök
AOW11N60 Köp av
AOW11N60 Chip