AOT8N80L
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
Artikelnummer
AOT8N80L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
245W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.63 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43625 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOT8N80L
AOT8N80L Elektroniska komponenter
AOT8N80L Försäljning
AOT8N80L Leverantör
AOT8N80L Distributör
AOT8N80L Datatabell
AOT8N80L Foton
AOT8N80L Pris
AOT8N80L Erbjudande
AOT8N80L Lägsta pris
AOT8N80L Sök
AOT8N80L Köp av
AOT8N80L Chip