AOT8N60
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
Artikelnummer
AOT8N60
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
208W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1370pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44330 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOT8N60
AOT8N60 Elektroniska komponenter
AOT8N60 Försäljning
AOT8N60 Leverantör
AOT8N60 Distributör
AOT8N60 Datatabell
AOT8N60 Foton
AOT8N60 Pris
AOT8N60 Erbjudande
AOT8N60 Lägsta pris
AOT8N60 Sök
AOT8N60 Köp av
AOT8N60 Chip