VBsemi (Wei Bi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
NTJD4401NT1G-VB
NTJD4401NT1G-VB
Artikelnummer
NTJD4401NT1G-VB
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
VBsemi (Wei Bi)
Inkapsling
-
Förpackning
taping
Antal paket
3000
Beskrivning
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 92282 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Nyckelord av NTJD4401NT1G-VB
NTJD4401NT1G-VB Elektroniska komponenter
NTJD4401NT1G-VB Försäljning
NTJD4401NT1G-VB Leverantör
NTJD4401NT1G-VB Distributör
NTJD4401NT1G-VB Datatabell
NTJD4401NT1G-VB Foton
NTJD4401NT1G-VB Pris
NTJD4401NT1G-VB Erbjudande
NTJD4401NT1G-VB Lägsta pris
NTJD4401NT1G-VB Sök
NTJD4401NT1G-VB Köp av
NTJD4401NT1G-VB Chip