onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
NTJD4105CT1G
Complementary, Small Signal MOSFETs
Artikelnummer
NTJD4105CT1G
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
SC-88-6
Förpackning
taping
Antal paket
3000
Beskrivning
This complementary dual device uses a small encapsulation (2 x 2 mm) and low RDS(on) MOSFETs to achieve the smallest footprint and improve circuit efficiency. The low RDS(on) performance is ideal for single-cell or dual-cell Li-ion battery powered devices such as cell phones, media players, digital cameras and PDAs.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 67240 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Nyckelord av NTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G Elektroniska komponenter
NTJD4105CT1G Försäljning
NTJD4105CT1G Leverantör
NTJD4105CT1G Distributör
NTJD4105CT1G Datatabell
NTJD4105CT1G Foton
NTJD4105CT1G Pris
NTJD4105CT1G Erbjudande
NTJD4105CT1G Lägsta pris
NTJD4105CT1G Sök
NTJD4105CT1G Köp av
NTJD4105CT1G Chip