DIODES (US and Taiwan)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
DGD2110S16-13
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.5A source current 2.5A
Artikelnummer
DGD2110S16-13
Kategori
Power Chip > Gate Driver IC
Tillverkare/varumärke
DIODES (US and Taiwan)
Inkapsling
SSOP-16-150mil
Förpackning
taping
Antal paket
1500
Beskrivning
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 70242 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Low side High side IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 290mA source current 600mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 350mA source current 200mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.3A source current 1.9A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 1.8A source current 1.4A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 4.5A source current 4.5A
DIODES (US and Taiwan)
Nyckelord av DGD2110S16-13
DGD2110S16-13 Elektroniska komponenter
DGD2110S16-13 Försäljning
DGD2110S16-13 Leverantör
DGD2110S16-13 Distributör
DGD2110S16-13 Datatabell
DGD2110S16-13 Foton
DGD2110S16-13 Pris
DGD2110S16-13 Erbjudande
DGD2110S16-13 Lägsta pris
DGD2110S16-13 Sök
DGD2110S16-13 Köp av
DGD2110S16-13 Chip