DIODES (US and Taiwan)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
DGD2012S8-13
Half-bridge MOSFET sink current 1.9A source current 2.3A
Artikelnummer
DGD2012S8-13
Kategori
Power Chip > Gate Driver IC
Tillverkare/varumärke
DIODES (US and Taiwan)
Inkapsling
SO-8
Förpackning
taping
Antal paket
2500
Beskrivning
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 96677 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Low side High side IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 290mA source current 600mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 350mA source current 200mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.3A source current 1.9A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 1.8A source current 1.4A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 4.5A source current 4.5A
DIODES (US and Taiwan)
Nyckelord av DGD2012S8-13
DGD2012S8-13 Elektroniska komponenter
DGD2012S8-13 Försäljning
DGD2012S8-13 Leverantör
DGD2012S8-13 Distributör
DGD2012S8-13 Datatabell
DGD2012S8-13 Foton
DGD2012S8-13 Pris
DGD2012S8-13 Erbjudande
DGD2012S8-13 Lägsta pris
DGD2012S8-13 Sök
DGD2012S8-13 Köp av
DGD2012S8-13 Chip