AGM-Semi (core control source)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
AGM210MAP N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ

AGM210MAP

N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ
Artikelnummer
AGM210MAP
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
AGM-Semi (core control source)
Inkapsling
DFN3.3x3.3
Förpackning
taping
Antal paket
5000
Beskrivning
Type: One N-Channel, One P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A/-25A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 11mΩ@4.5V, 4A/18mΩ@10V, 3A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA/-0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) [email protected] /[email protected] V input capacitance (Ciss@Vds): 0.95nF@10V/0.9nF@10V, Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54280 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av AGM210MAP
AGM210MAP Elektroniska komponenter
AGM210MAP Försäljning
AGM210MAP Leverantör
AGM210MAP Distributör
AGM210MAP Datatabell
AGM210MAP Foton
AGM210MAP Pris
AGM210MAP Erbjudande
AGM210MAP Lägsta pris
AGM210MAP Sök
AGM210MAP Köp av
AGM210MAP Chip