AGM-Semi (core control source)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
AGM206MAP N+N channel 20V 25A 4.5mΩ

AGM206MAP

N+N channel 20V 25A 4.5mΩ
Artikelnummer
AGM206MAP
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
AGM-Semi (core control source)
Inkapsling
PDFN3x3
Förpackning
taping
Antal paket
5000
Beskrivning
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A Power (Pd): 3.0W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@4.5V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 0.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): [email protected] Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.31nF@10V ,Vds =20V Id=25A Rds=4.5mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 96912 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av AGM206MAP
AGM206MAP Elektroniska komponenter
AGM206MAP Försäljning
AGM206MAP Leverantör
AGM206MAP Distributör
AGM206MAP Datatabell
AGM206MAP Foton
AGM206MAP Pris
AGM206MAP Erbjudande
AGM206MAP Lägsta pris
AGM206MAP Sök
AGM206MAP Köp av
AGM206MAP Chip