VQ1001P
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Artikelnummer
VQ1001P
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
-
Effekt - Max
2W
Leverantörsenhetspaket
14-DIP
FET typ
4 N-Channel
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
830mA
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.75 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8378 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av VQ1001P
VQ1001P Elektroniska komponenter
VQ1001P Försäljning
VQ1001P Leverantör
VQ1001P Distributör
VQ1001P Datatabell
VQ1001P Foton
VQ1001P Pris
VQ1001P Erbjudande
VQ1001P Lägsta pris
VQ1001P Sök
VQ1001P Köp av
VQ1001P Chip