SUP50N10-21P-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Artikelnummer
SUP50N10-21P-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2055pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31112 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SUP50N10-21P-GE3
SUP50N10-21P-GE3 Elektroniska komponenter
SUP50N10-21P-GE3 Försäljning
SUP50N10-21P-GE3 Leverantör
SUP50N10-21P-GE3 Distributör
SUP50N10-21P-GE3 Datatabell
SUP50N10-21P-GE3 Foton
SUP50N10-21P-GE3 Pris
SUP50N10-21P-GE3 Erbjudande
SUP50N10-21P-GE3 Lägsta pris
SUP50N10-21P-GE3 Sök
SUP50N10-21P-GE3 Köp av
SUP50N10-21P-GE3 Chip