SUP40N10-30-E3
MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
Artikelnummer
SUP40N10-30-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 107W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12048 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SUP40N10-30-E3
SUP40N10-30-E3 Elektroniska komponenter
SUP40N10-30-E3 Försäljning
SUP40N10-30-E3 Leverantör
SUP40N10-30-E3 Distributör
SUP40N10-30-E3 Datatabell
SUP40N10-30-E3 Foton
SUP40N10-30-E3 Pris
SUP40N10-30-E3 Erbjudande
SUP40N10-30-E3 Lägsta pris
SUP40N10-30-E3 Sök
SUP40N10-30-E3 Köp av
SUP40N10-30-E3 Chip