SUP25P10-138-GE3
MOSFET P-CH 100V 16.3A TO220AB
Artikelnummer
SUP25P10-138-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 73.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13.8 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52639 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SUP25P10-138-GE3
SUP25P10-138-GE3 Elektroniska komponenter
SUP25P10-138-GE3 Försäljning
SUP25P10-138-GE3 Leverantör
SUP25P10-138-GE3 Distributör
SUP25P10-138-GE3 Datatabell
SUP25P10-138-GE3 Foton
SUP25P10-138-GE3 Pris
SUP25P10-138-GE3 Erbjudande
SUP25P10-138-GE3 Lägsta pris
SUP25P10-138-GE3 Sök
SUP25P10-138-GE3 Köp av
SUP25P10-138-GE3 Chip