SUM50020E-GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Artikelnummer
SUM50020E-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
375W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
128nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24324 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SUM50020E-GE3
SUM50020E-GE3 Elektroniska komponenter
SUM50020E-GE3 Försäljning
SUM50020E-GE3 Leverantör
SUM50020E-GE3 Distributör
SUM50020E-GE3 Datatabell
SUM50020E-GE3 Foton
SUM50020E-GE3 Pris
SUM50020E-GE3 Erbjudande
SUM50020E-GE3 Lägsta pris
SUM50020E-GE3 Sök
SUM50020E-GE3 Köp av
SUM50020E-GE3 Chip