SUD20N10-66L-GE3
MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252
Artikelnummer
SUD20N10-66L-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16.9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
66 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14714 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SUD20N10-66L-GE3
SUD20N10-66L-GE3 Elektroniska komponenter
SUD20N10-66L-GE3 Försäljning
SUD20N10-66L-GE3 Leverantör
SUD20N10-66L-GE3 Distributör
SUD20N10-66L-GE3 Datatabell
SUD20N10-66L-GE3 Foton
SUD20N10-66L-GE3 Pris
SUD20N10-66L-GE3 Erbjudande
SUD20N10-66L-GE3 Lägsta pris
SUD20N10-66L-GE3 Sök
SUD20N10-66L-GE3 Köp av
SUD20N10-66L-GE3 Chip