SQV120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Artikelnummer
SQV120N10-3M8_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262-3
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7230pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9876 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQV120N10-3M8_GE3
SQV120N10-3M8_GE3 Elektroniska komponenter
SQV120N10-3M8_GE3 Försäljning
SQV120N10-3M8_GE3 Leverantör
SQV120N10-3M8_GE3 Distributör
SQV120N10-3M8_GE3 Datatabell
SQV120N10-3M8_GE3 Foton
SQV120N10-3M8_GE3 Pris
SQV120N10-3M8_GE3 Erbjudande
SQV120N10-3M8_GE3 Lägsta pris
SQV120N10-3M8_GE3 Sök
SQV120N10-3M8_GE3 Köp av
SQV120N10-3M8_GE3 Chip