Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SQP100P06-9M3L_GE3

SQP100P06-9M3L_GE3

MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
Artikelnummer
SQP100P06-9M3L_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
187W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12010pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8069 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SQP100P06-9M3L_GE3
SQP100P06-9M3L_GE3 Elektroniska komponenter
SQP100P06-9M3L_GE3 Försäljning
SQP100P06-9M3L_GE3 Leverantör
SQP100P06-9M3L_GE3 Distributör
SQP100P06-9M3L_GE3 Datatabell
SQP100P06-9M3L_GE3 Foton
SQP100P06-9M3L_GE3 Pris
SQP100P06-9M3L_GE3 Erbjudande
SQP100P06-9M3L_GE3 Lägsta pris
SQP100P06-9M3L_GE3 Sök
SQP100P06-9M3L_GE3 Köp av
SQP100P06-9M3L_GE3 Chip