SQJ200EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Artikelnummer
SQJ200EP-T1_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8 Dual
Effekt - Max
27W, 48W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A, 60A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
975pF @ 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17996 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQJ200EP-T1_GE3
SQJ200EP-T1_GE3 Elektroniska komponenter
SQJ200EP-T1_GE3 Försäljning
SQJ200EP-T1_GE3 Leverantör
SQJ200EP-T1_GE3 Distributör
SQJ200EP-T1_GE3 Datatabell
SQJ200EP-T1_GE3 Foton
SQJ200EP-T1_GE3 Pris
SQJ200EP-T1_GE3 Erbjudande
SQJ200EP-T1_GE3 Lägsta pris
SQJ200EP-T1_GE3 Sök
SQJ200EP-T1_GE3 Köp av
SQJ200EP-T1_GE3 Chip