SQD50P03-07_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Artikelnummer
SQD50P03-07_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252AA
Effektförlust (max)
136W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
146nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5490pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38588 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQD50P03-07_GE3
SQD50P03-07_GE3 Elektroniska komponenter
SQD50P03-07_GE3 Försäljning
SQD50P03-07_GE3 Leverantör
SQD50P03-07_GE3 Distributör
SQD50P03-07_GE3 Datatabell
SQD50P03-07_GE3 Foton
SQD50P03-07_GE3 Pris
SQD50P03-07_GE3 Erbjudande
SQD50P03-07_GE3 Lägsta pris
SQD50P03-07_GE3 Sök
SQD50P03-07_GE3 Köp av
SQD50P03-07_GE3 Chip