SQD50N04-09H-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Artikelnummer
SQD50N04-09H-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
76nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4240pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54775 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQD50N04-09H-GE3
SQD50N04-09H-GE3 Elektroniska komponenter
SQD50N04-09H-GE3 Försäljning
SQD50N04-09H-GE3 Leverantör
SQD50N04-09H-GE3 Distributör
SQD50N04-09H-GE3 Datatabell
SQD50N04-09H-GE3 Foton
SQD50N04-09H-GE3 Pris
SQD50N04-09H-GE3 Erbjudande
SQD50N04-09H-GE3 Lägsta pris
SQD50N04-09H-GE3 Sök
SQD50N04-09H-GE3 Köp av
SQD50N04-09H-GE3 Chip